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公開日期標題作者
二月-2017Functionally Complete Boolean Logic in 1T1R Resistive Random Access MemoryWang, Zhuo-Rui; Su, Yu-Ting; Li, Yi; Zhou, Ya-Xiong; Chu, Tian-Jian; Chang, Kuan-Chang; Chang, Ting-Chang; Tsai, Tsung-Ming; Sze, Simon M.; Miao, Xiang-Shui; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-三月-2005A novel fully CMOS process compatible PREM for SOC applicationsYeh, CC; Wang, TH; Tsai, WJ; Lu, TC; Liao, YY; Zous, NK; Chin, CY; Chen, YR; Chen, MS; Ting, WC; Lu, CY; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
十一月-2016A ReRAM-Based 4T2R Nonvolatile TCAM Using RC-Filtered Stress-Decoupled Scheme for Frequent-OFF Instant-ON Search Engines Used in IoT and Big-Data ProcessingChang, Meng-Fan; Huang, Lie-Yue; Lin, Wen-Zhang; Chiang, Yen-Ning; Kuo, Chia-Chen; Chuang, Ching-Hao; Yang, Keng-Hao; Tsai, Hsiang-Jen; Chen, Tien-Fu; Sheu, Shyh-Shyuan; 交大名義發表; National Chiao Tung University
2003一種利用鉿矽酸鹽結晶化形成的新穎氧化鉿非揮發性奈米晶體記憶體林慶宗; Ching-Tzung Lin; 張俊彥; Chun-Yen Chang; 電子研究所
2006以濺鍍法製備氧化鋯材料作為雙穩態電阻轉換記憶體之特性研究吳重毅; Chung-Yi Wu; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
2017應變閘極堆疊負電容鐵電介電層應用於低功耗記憶體與次10奈米電晶體之研究邱于建; 張俊彥; 鄭淳護; Chiu, Yu-Chien; Chang, Chun-Yen; Cheng, Chun-Hu; 電子研究所
2005新型PHINES和PREM快閃記憶體及氮化矽型發光電晶體之研究葉致鍇; Chih-Chieh Yeh; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2007氧化鈰奈米微晶粒非揮發性記憶體元件之研究楊紹明; Shao-Ming Yang; 雷添福; 簡昭欣; Tan-Fu Lei; Chao-Hsin Chien; 電子研究所
2007矽化鈷在含鍺介電質形成奈米點並構成非揮發性記憶體之研究李勝凱; Sheng-Kai Lee; 邱碧秀; Bi-Shiou Chiou; 電子研究所
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