1. 目前位置：

瀏覽 的方式： 作者 張國明

跳到： 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字：  
顯示 1 到 20 筆資料，總共 234 筆  下一頁 >
公開日期標題作者
1995COMPREHENSIVE STUDY OF LOW-TEMPERATURE SILICON DIOXIDE FABRICATED BY ELECTRON-CYCLOTRON-RESONANCE（ECR） PLASMA OXIDATION WITH AND WITHOUT ECR PLASMA PRETREATMENT范富傑; Fan, Fu-Jie; 張國明; 羅正忠; Zhang, Guo-Ming; Luo, Zheng-Zhong; 電子研究所
1991III-V化合物半導體活性離子蝕刻製程梁興芳; LIANG, HSING-FAN; 張國明; 朝春光; CHANG, KOW-MING; CHAO, CHUEN-GUANG; 材料科學與工程學系
1991III-V異質接面元件電容電壓剖面模擬與分析王世維; WANG, SHI-WEI; 張國明; ZHANG, GUO-MING; 電子研究所
1996NH3及N2O對介電質的影響李自強; Lee, Tzyh-Cheang; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
1992Reactive ion etching of InP and InGaP using CH□/H□mixtures陳昶儒; Chen, Chang-Ru; 張國明; Zhang, Guo-Ming; 電子研究所
2006Ta2O5 閘極介電層特性及尺寸效應所造成的MIS 電容邊際漏電流何家琦; 張國明; 電機學院電子與光電學程
1991一致性二維數值模擬砷化鎵場效電晶體高濃度雜質攙入效應林裕凱; LIN, YU-KAI; 陳衛國; 張國明; CHEN, WEI-GUO; ZHANG, GUO-MING; 電子物理系所
1997三電極矽電容式壓力感測器及光纖反射式測微器黃國貞; Hwang, Gwo-Jen; 張國明; Chang Kow-Ming; 電子研究所
2012下世代平面顯示器高性能銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體之設計、成長、製作與特性分析(I)張國明; CHANG KOW-MING; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2013下世代平面顯示器高性能銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體之設計、成長、製作與特性分析(II)張國明; CHANG KOW-MING; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2014下世代平面顯示器高性能銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體之設計、成長、製作與特性分析(III)張國明; CHANG KOW-MING; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2011不同表面處理對二氧化鉿與二氧化鋯推疊式高介電常數材料薄膜之效果李政勳; Lee, Cheng-Hsun; 張國明; Chang, Kow-Ming; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2009二氧化鉿經四氟化碳電漿處理後應用於有機薄膜電晶體之研究曾憶雯; Tseng, Yi-Wen; 張國明; Chang, Kow-Ming; 電子研究所
2009二氧化鋯作為閘極之離子感測場效電晶體應用在pH量測之最佳化退火製程研究詹秉燏; Chan, Bin-Yu; 張國明; Chang, Kow-Ming; 電子研究所
2006二氧化鋯感測層在N型及P型pH-離子感測場效電晶體上之研究與比較林佳鴻; Chia-Hung Lin; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
1988二維電子雲場效電晶體的分析與模擬陳德芳; CHEN, DE-FANG; 張國明; 張俊彥; ZHANG, GUO -MING; ZHANG, JUN-YAN; 電子研究所
1988二維高濃度砷化鎵金半場效電晶體模擬林國良; LIN, GUO-LIANG; 張國明; 張俊彥; ZHANG, GUO-MING; ZHANG, JUN-YAN; 電子研究所
2010以Alignment mark的選擇作為改善黃光製程上的OVL budget之研究郭宏銘; 張國明; 電機學院電子與光電學程
2006以NafionTM/高分子材料為結構的感測層應用在pH-ISFET離子選擇場效電晶體之研究陳敬岦; Jin-Li Chen; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
2009以pH-ISFET元件為基礎之尿素感測器之製造與研究詹昆謀; Chan, Kun-Mou; 張國明; Chang, Kow-Ming; 電子研究所
顯示 1 到 20 筆資料，總共 234 筆  下一頁 >