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公開日期標題作者
20100.13微米以下快閃記憶體位元線漏電之防治方法張宏宇; Chang, Hung-Yu; 荊鳳德; Chin, Albert; 電機學院電子與光電學程
20051.8伏金氧半低雜訊放大器之設計應用於超寬頻UWB 3.1-10.6GHZ無線接收端邱子倫; 荊鳳德; 電子研究所
20041.8伏金氧半低雜訊放大器應用於超寬頻3.1-10.6GHZ無線接收端李秋峰; 荊鳳德; 電子研究所
20025.8GHz CMOS低雜訊放大器的設計及新穎的雜訊模型之研究陳建羽; Chine-Yu Chen; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
1999BESOI的新製程荊鳳德; CHIN ALBERT; 交通大學電子工程系
1995LPCVD以SiH4低溫下成長高品質矽磊晶林柏村; Lin, B.C.; 荊鳳德; Albert.Chin; 電子研究所
2011T25高壓製程之高頻特性研究測試元件任欣桐; Jen, Hsin-Tung; 陳振芳; 荊鳳德; Chen, J. F.; Chin, Albert; 電子物理系所
2010下一世代鍺基板電子元件荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2011下一世代鍺基板電子元件荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2009下一世代鍺基板電子元件荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2014下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2015下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2016下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2015不同快速退火條件對氧化鋅薄膜電晶體的特性探討劉又銘; 荊鳳德; Liou, You-Ming; Chin, Albert; 電子工程學系 電子研究所
2016不同退火條件下對於p-type SnO 與 n-type SnO2 薄膜電晶體之特性探討邊廷宇; 荊鳳德; Pien, Ting Yu; Chin, feng-de; 電子工程學系 電子研究所
2015不同金屬上電極對氧化鋯鉿金屬-氧化物-半導體鐵電電容特性影響鍾丑智; Chung, Chou-Chih; 荊鳳德; Chin, Albert; 電子工程學系 電子研究所
2012二氧化鉿/二氧化鋯介電質應用於非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之特性探討潘俊華; Pan, Chun-Hua; 荊鳳德; 電子工程學系 電子研究所
2011互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2013互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2012互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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