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作者
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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Chi, GC
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顯示 1 到 17 筆資料,總共 17 筆
公開日期
標題
作者
8-一月-1996
A bilayer Ti/Ag ohmic contact for highly doped n-type GaN films
Guo, JD
;
Lin, CI
;
Feng, MS
;
Pan, FM
;
Chi, GC
;
Lee, CT
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
18-十二月-1997
Characterization of GaN epitaxial layers on SiC substrates with AlxGa1-xN buffer layers
Lin, CF
;
Cheng, HC
;
Feng, MS
;
Chi, GC
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-三月-2001
Characterization of p-type InxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition
Wen, TC
;
Lee, WI
;
Sheu, JK
;
Chi, GC
;
友訊交大聯合研發中心
;
D Link NCTU Joint Res Ctr
24-六月-1996
The dependence of the electrical characteristics of the GaN epitaxial layer on the thermal treatment of the GaN buffer layer
Lin, CF
;
Chi, GC
;
Feng, MS
;
Guo, JD
;
Tsang, JS
;
Hong, JMH
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-九月-1997
Growth and characterizations of GaN on SiC substrates with buffer layers
Lin, CF
;
Cheng, HC
;
Chi, GC
;
Feng, MS
;
Guo, JD
;
Hong, JMH
;
Chen, CY
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
奈米中心
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
Nano Facility Center
1-九月-1997
Growth and characterizations of GaN on SiC substrates with buffer layers
Lin, CF
;
Cheng, HC
;
Chi, GC
;
Feng, MS
;
Guo, JD
;
Hong, JMH
;
Chen, CY
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
3-四月-2000
Improved contact performance of GaN film using Si diffusion
Lin, CF
;
Cheng, HC
;
Chi, GC
;
Bu, CJ
;
Feng, MS
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
奈米中心
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
Nano Facility Center
27-十月-2003
Improvement of near-ultraviolet InGaN/GaN light-emitting diodes by inserting an in situ rough SiN(x) interlayer in n-GaN layers
Tu, RC
;
Chuo, CC
;
Pan, SM
;
Fan, YM
;
Tsai, CE
;
Wang, TC
;
Tun, CJ
;
Chi, GC
;
Lee, BC
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
27-十月-2003
Improvement of near-ultraviolet InGaN/GaN light-emitting diodes by inserting an in situ rough SiNx interlayer in n-GaN layers
Tu, RC
;
Chuo, CC
;
Pan, SM
;
Fan, YM
;
Tsai, CE
;
Wang, TC
;
Tun, CJ
;
Chi, GC
;
Lee, BC
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
12-五月-1997
Mobility enhancements in AlGaN/GaN/SiC with stair-step and graded heterostructures
Lin, CF
;
Cheng, HC
;
Huang, JA
;
Feng, MS
;
Guo, JD
;
Chi, GC
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
奈米中心
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
Nano Facility Center
12-五月-1997
Mobility enhancements in AlGaN/GaN/SiC with stair-step and graded heterostructures
Lin, CF
;
Cheng, HC
;
Huang, JA
;
Feng, MS
;
Guo, JD
;
Chi, GC
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
奈米中心
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
Nano Facility Center
1-四月-2002
Observation of dislocation etch pits in epitaxial lateral overgrowth GaN by wet etching
Wen, TC
;
Lee, WI
;
Sheu, JK
;
Chi, GC
;
電子物理學系
;
資訊工程學系
;
Department of Electrophysics
;
Department of Computer Science
1-十二月-2000
Properties of Mg activation in thermally treated GaN : Mg films
Lin, CF
;
Cheng, HC
;
Chang, CC
;
Chi, GC
;
電子工程學系及電子研究所
;
奈米中心
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
Nano Facility Center
1-三月-2003
Thermal annealing effects on the optical gain of InGaN/GaN quantum well structures
Chen, CC
;
Hsueh, TH
;
Ting, YS
;
Chi, GC
;
Chang, CA
;
Wang, SC
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
15-二月-2004
Ultra-high-density InGaN quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition
Tu, RC
;
Tun, CJ
;
Chuo, CC
;
Lee, BC
;
Tsai, CE
;
Wang, TC
;
Chi, J
;
Lee, CP
;
Chi, GC
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-四月-2000
W ohmic contact for highly doped n-type GaN films
Lin, CF
;
Cheng, HC
;
Chi, GC
;
電子工程學系及電子研究所
;
奈米中心
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
Nano Facility Center
10-六月-1996
X-ray crystallographic study of GaN epitaxial films on Al2O3(0001) substrates with GaN buffer layers
Lee, CH
;
Chi, GC
;
Lin, CF
;
Feng, MS
;
Guo, JD
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics