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公開日期標題作者
1994CMP平坦化製程對元件特性之效應胡鈞屏; Jyng-Ping Hwu; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2005NROM資料保存能力之研究賴旭暉; Hsu-Hui Lai; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電機學院電子與光電學程
2007Study on the Improvement of ONO-stacked Flash Memory by Wet Oxidation of Si3N4 Layer張子□; Tzu-Heng Chang; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2004五環素薄膜電晶體與主動式畫素架構於前瞻顯示器應用之研究王右武; Yu-Wu Wang; 雷 添 福; 葉 清 發; Tan-Fu Lei; Ching-Fa Yeh; 電子研究所
1993以低壓化學氣相沉積法ＴＥＯＳ製成之薄閘極氧化層之研究林震賓; Chen-Bin Lin; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
1994以超高真空化學氣相沉積系統成長矽硼層在超大型積體電路之應用陳東波; Tung-Po Chen; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2005低溫複晶矽薄膜電晶體之氟鈍化製程與可靠度的研究王獻德; Shen-De Wang; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2005低溫複晶矽薄膜電晶體之遷移率與可靠度之研究徐源竣; Yuan-Jiun Hsu; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2006低溫複晶矽薄膜電晶體其結晶方式與新穎結構之研究張哲綸; Che-Lun Chang; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
1993使用沉積矽化鎢與複晶矽和非晶矽結構形成之複晶矽化鎢閘極之研究廖修漢; Shiou-Hann Liaw; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2006元件可靠度的改善及類比電路應用時之影響林榮俊; Jung-Chun Lin; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2002具副閘極之多晶矽薄膜電晶體製作與特性研究俞正明; Cheng-Ming Yu; 雷添福; 林鴻志; Tan-Fu Lei; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2007具高介電常數閘極絕緣層的低溫多晶矽薄膜電晶體之研究馬鳴汶; Ming-Wen Ma; 雷添福; 趙天生; Tan-Fu Lei; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
1998利用CVD TEOS 在二矽烷複晶矽和堆疊結構複晶矽薄膜上沈積氧化層之特性分析陳萬得; Won-Der Chen; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2003利用氨氣/一氧化二氮電漿處理在鈦酸鎳/鈦酸鈷複晶矽絕緣層之研究謝松齡; Song-Lin Shie; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2005利用溶膠法沉積高介電常數材料捕陷電荷層之SONOS型記憶體元件徐梓翔; Tzu-Hsiang Hsu; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
1993利用複晶矽或矽化鈦含非晶矽緩衝層當擴散源形成矽化鈦淺接面之研究謝聰敏; Tsong-Min Shieh; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2002利用離子佈植/電漿植入於矽化鎳 N+/P 接面與複晶矽鍺閘極之研究李美錡; Mei-Chi Lee; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2008利用高介電長數HfAlO之元素含量做為阻擋層應用在非揮發性記憶體上之研究顧春瑀; Chun-Yu Ku; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
2007利用齊納接面改善氧化矽/氮化矽/氧化矽堆疊式快閃記憶體之特性梁文彥; Weng-Yeng Liang; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
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