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公開日期標題作者
2005AAO輔助生成一維氧化鋅奈米陣列之特性研究張家瑋; Chia-Wei Chang; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
1993BME-Z5U 鈦酸鋇陶瓷電容器製程之研究傅安國; An-Gwo Fuh; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 應用化學系碩博士班
2-十一月-2017COMPOSITE ELECTRODE MATERIALTseung-Yuen Tseng; Chih-Chieh Yang
2-十一月-2017MANUFACTURING METHOD OF COMPOSITE ELECTRODE MATERIALTseung-Yuen Tseng; Chih-Chieh Yang
1992PLZT鐵電性薄膜之溶膠-凝膠製程和特性研究郭有福; Yu-Fu Kuo; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 應用化學系碩博士班
1993Z5U-BME陶瓷電容器之製備與特性研究賴威昇; Wei-Sheng Lai; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 應用化學系碩博士班
2006一維氧化鋅/二氧化鈦核殼結構奈米線之光學與場發射特性研究陳冠仲; Guan-Zhong Chen; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
2004交流濺鍍法製備之氧化鋅透明導電薄膜之電性及光學性質探討莊傅凱; Fu-Chai Chuang; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
1998交流濺鍍高介電係數氧化物薄膜之電學及光學性質研究郭有福; Yu-Fu Kuo; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
1998交流濺鍍高介電係數氧化物鈦酸鍶鋇和鉭鈮酸鍶鉍薄膜在記憶體電容器之研究蔡明憲; Ming-Shiahn Tsai; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
1995以交流磁控濺鍍成長介電薄膜與薄膜基本特性之研究蔡佩源; Tsai, Pei-Yuan; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
1992以反應性交流磁控濺鍍系統成長碳化鈦薄膜之研究林文彬; Wen-Bin Lin; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
2000以溶凝膠法製備鈦酸鍶鋇薄膜之電學及光激光特性分析陳金生; Chin-Sheng Chen; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
1993以溶膠-凝膠法製備PLT鐵電薄膜及其電性之研究呂照全; Jaw-Chyung Leu; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
2006以溶膠法製備之多重結構的鋯酸鍶記憶體元件之電阻轉換特性研究黃俊興; Chun-Hsing Huang; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
2004以濺鍍法製備之鈣鈦礦結構氧化物薄膜之雙穩態導電率轉換記憶體元件陳鍵賢; Jian-Shian Chen; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
2006以濺鍍法製備之鋯酸鍶記憶體元件具有無電壓極性之電阻轉換特性研究尤俊勝; Jung-Sheng Yu; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
2006以濺鍍法製備氧化鋯材料作為雙穩態電阻轉換記憶體之特性研究吳重毅; Chung-Yi Wu; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
2006以濺鍍法製備氮摻雜二氧化鈦薄膜物性及光學特性之研究余松蒔; Sung-Shih Yu; 曾俊元; Tseung-Yuen Tseng; 電子研究所
2004低介電常數材料在多層導體連線系統上之製程整合研究蔡宗鳴; Tsung-Ming Tsai; 曾俊元; 張鼎張; Tseung-Yuen Tseng; Ting-Chang Chang; 電子研究所
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