熱成長氮化矽膜的製作及應用

Abstract

本文利用氨氣與矽單晶的直接反應，成功地在高溫下成長高品質的氮化矽膜，並完 成數種熱成長氮化矽膜的重要應用。 在製作過程中，氟酸及氫氣成功地用來去除矽晶片表面自然成長的氧化薄膜，並藉 此獲得高品質的氮化矽膜。實驗結果發現，攝氏五百度至一千兩百度成長的均勻氮 化矽膜，其厚度雖小於一百埃，但對氧化、化學藥劑及磷擴散的抵抗能力甚強，且 其介電常數比傳統的氧化矽膜大。 本文利用五十埃的熱成長氮化矽膜作為閘極絕緣層材料，亦成功地研製出低臨界電 壓的 n －通道金－絕－半電晶體； 並且，藉熱成長氮化矽膜的自限特性，成功地 發展完成品質良好且易於複製的金－絕－矽開關元件及金－絕－半太陽電池。 #2811435 #2811435