標題: 利用Nd:YAG雷射的輻射研製矽-PN接面之二柱體
作者: 陳鉅棟
Chen, Ju-Dong
劉濬堯
陳茂傑
Liu, Jun-Yao
Chen, Mao-Jie
電子研究所
關鍵字: Nd:YAG雷射;矽;PN接面;輻射;二柱體;電子工程;LASER;SILICON;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期: 1980
摘要: 本文探討雷射輻射形成 PN 接面二柱體的特性。輻射能量超過一定值,在氧化矽層 上易顯出熔解現象,當輻射能量跟大時,材料劈裂是不可避免,這些缺陷嚴重影響 二柱體的特性。 想製造一個不同深淺接面的二柱體,尋找出最好的輻射能量是可得到的。 #2811436 #2811436
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430041
http://hdl.handle.net/11536/51409
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