利用Nd:YAG雷射的輻射研製矽－PN接面之二柱體

标题:	利用Nd:YAG雷射的辐射研制矽－PN接面之二柱体
作者:	陈钜栋 Chen, Ju-Dong 刘浚尧陈茂杰 Liu, Jun-Yao Chen, Mao-Jie 电子研究所
关键字:	Nd:YAG雷射;矽;PN接面;辐射;二柱体;电子工程;LASER;SILICON;ELECTRONIC-ENGINEERING
公开日期:	1980
摘要:	本文探讨雷射辐射形成 PN 接面二柱体的特性。辐射能量超过一定值，在氧化矽层上易显出熔解现象，当辐射能量跟大时，材料劈裂是不可避免，这些缺陷严重影响二柱体的特性。想制造一个不同深浅接面的二柱体，寻找出最好的辐射能量是可得到的。 #2811436 #2811436
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430041 http://hdl.handle.net/11536/51409
显示于类别：	Thesis

APA	陈., Chen, J., 刘., 陈., Liu, J., & Chen, M. (1980). 利用Nd:YAG雷射的辐射研制矽－PN接面之二柱体. http://hdl.handle.net/11536/51409.
Bibtex	@article{陈钜栋 and Chen1980, title={利用Nd:YAG雷射的辐射研制矽－PN接面之二柱体}, author={陈钜栋 and Chen, Ju-Dong and 刘浚尧 and 陈茂杰 and Liu, Jun-Yao and Chen, Mao-Jie}, journal={http://hdl.handle.net/11536/51409}, year={1980}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/51409?locale=zh_CN}, }