矽質PIN接面型及透穿崩潰型光二柱體之設計及製作

标题:	矽质PIN接面型及透穿崩溃型光二柱体之设计及制作
作者:	杨国锵 Yang, Guo-Qiang 刘浚尧陈茂杰 Liu, Jun-Yao Chen, Mao-Jie 电子研究所
关键字:	矽质PIN;接面型;透穿崩溃型;光二柱体;电子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING
公开日期:	1980
摘要:	本文提供一种用来生产高性能矽质 PIN 光二极体，而且具有极佳良率的制作程序。利用这种程序制作出来的光二极体（介面直径为 1 毫米），在 60 伏特的操作电压下，只有一奈穴（ nA ）的漏电流，而其崩溃电压则大于 400 伏特，并且具有极高的操作速率。本文也提供制作透穿崩溃型光二极体的方法，由这种方法制作出来的光二极体，在 300 伏特电压下的电流增益大约为 25。但是，由于漏电流偏高以及微电浆（ Microplasma ）的存在，制作的良率较差而有待改进。 #2811446 #2811446
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430081 http://hdl.handle.net/11536/51454
显示于类别：	Thesis

APA	杨., Yang, G., 刘., 陈., Liu, J., & Chen, M. (1980). 矽质PIN接面型及透穿崩溃型光二柱体之设计及制作. http://hdl.handle.net/11536/51454.
Bibtex	@article{杨国锵 and Yang1980, title={矽质PIN接面型及透穿崩溃型光二柱体之设计及制作}, author={杨国锵 and Yang, Guo-Qiang and 刘浚尧 and 陈茂杰 and Liu, Jun-Yao and Chen, Mao-Jie}, journal={http://hdl.handle.net/11536/51454}, year={1980}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/51454?locale=zh_CN}, }