積體注入邏輯之元件模型與元件及電路模擬器

Abstract

本文依據結構化的注入模型，提供一積新的方法計算積體注入邏輯元件中的各分電流 及儲存電荷，並且可從製程參數、擴散分佈及元件的幾何形狀中，得到完整的元件特 性。在模型建立的過程中，各種物理特性，如高摻雜半導體的能階收縮、高低接面效 應、歐捷結合效應、電流載體移動率與生命期的變化，都被考慮進去。在處理動態特 性時，本文引用了電荷控制的觀念。此外，並考慮基極區域的分佈電阻，即可得到積 體注入邏輯完整的直流與動態特性。因此，在高低電流區域中電流放大率的降落，以 及在各種情狀下的傳導延遲時間都可以準確地加以預測。 為了證實此一模型的可用性，在此較模擬結果與實驗數據後，我們得到令人滿意的結 果。既然此一模型明白的表示了製程參數、擴散分佈與電路參數的關係，它對電路設 計者而言，也具有很大的價值。