标题: | 以雷射处理法来减除矽晶片制造过程中所产生的缺陷 |
作者: | 林靖民 Lin, Jing-Min 刘睿尧 Liu, Rui-Yao 电子研究所 |
关键字: | 雷射处理法;矽晶片;晶片;氧化热处理;缺限;杂质;电子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING |
公开日期: | 1982 |
摘要: | 本文探讨在矽晶片背面用雷射处理,使得晶片在随后的制程中,由于热处理过程会使 得缺陷或是重金属杂质由晶片表面转移至背面。在此以三种实验来验证此一转移现象 ,而达成如下的结论:(一)雷射能量有一有效范围,在此范围内,晶内片的表面由于 氧化热处理而品质有所改善。(二)雷射处理至少可维持三次高温氧化热处理,使得晶 片表面的缺陷减少。但是当雷射能量太大时,会使得晶片表面的缺陷增加,反而降低 了晶片的质。基于上述的考虑,吾人提出一套雷射处理去除杂质或缺陷的作业方法, 并经实验证实有效。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428020 http://hdl.handle.net/11536/51741 |
显示于类别: | Thesis |