标题: 以雷射处理法来减除矽晶片制造过程中所产生的缺陷
作者: 林靖民
Lin, Jing-Min
刘睿尧
Liu, Rui-Yao
电子研究所
关键字: 雷射处理法;矽晶片;晶片;氧化热处理;缺限;杂质;电子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING
公开日期: 1982
摘要: 本文探讨在矽晶片背面用雷射处理,使得晶片在随后的制程中,由于热处理过程会使
得缺陷或是重金属杂质由晶片表面转移至背面。在此以三种实验来验证此一转移现象
,而达成如下的结论:(一)雷射能量有一有效范围,在此范围内,晶内片的表面由于
氧化热处理而品质有所改善。(二)雷射处理至少可维持三次高温氧化热处理,使得晶
片表面的缺陷减少。但是当雷射能量太大时,会使得晶片表面的缺陷增加,反而降低
了晶片的质。基于上述的考虑,吾人提出一套雷射处理去除杂质或缺陷的作业方法,
并经实验证实有效。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428020
http://hdl.handle.net/11536/51741
显示于类别:Thesis