標題: | 以雷射處理法來減除矽晶片製造過程中所產生的缺陷 |
作者: | 林靖民 Lin, Jing-Min 劉睿堯 Liu, Rui-Yao 電子研究所 |
關鍵字: | 雷射處理法;矽晶片;晶片;氧化熱處理;缺限;雜質;電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING |
公開日期: | 1982 |
摘要: | 本文探討在矽晶片背面用雷射處理,使得晶片在隨後的製程中,由於熱處理過程會使 得缺陷或是重金屬雜質由晶片表面轉移至背面。在此以三種實驗來驗證此一轉移現象 ,而達成如下的結論:(一)雷射能量有一有效範圍,在此範圍內,晶內片的表面由於 氧化熱處理而品質有所改善。(二)雷射處理至少可維持三次高溫氧化熱處理,使得晶 片表面的缺陷減少。但是當雷射能量太大時,會使得晶片表面的缺陷增加,反而降低 了晶片的質。基於上述的考慮,吾人提出一套雷射處理去除雜質或缺陷的作業方法, 並經實驗證實有效。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428020 http://hdl.handle.net/11536/51741 |
顯示於類別: | 畢業論文 |