雙層離子佈植Ｎ通道加強型金氧半場效電晶體的結構及製程導向的電流--電壓模型

Abstract

本文提出一個簡單正確的小幾何結構雙層離子佈植N 通道加強型金氧半場效電晶體的 電流一電壓模式。此模式將小幾何結構效應及接點和接線所產生的寄生電阻均考慮在 內。反轉層的二維電場效應也考慮在所提的移動率模式中。洩極電壓引起的位障障降 低效應也經由洩極電壓引起臨界壓的改變而考慮在內。由於模式簡單，模式中的所有 參數皆可由實驗求取，且參數攫取的步驟文中亦有詳述。此模式最大的特點是將金氧 半電晶體的結構及製程考慮在內。因此能用單獨一套結構及程參數來準確的模擬各種 不同長度、寬度及背閘極電壓的金氧半場效電晶體。模擬結果顯示與實驗值相當吻合 。