超大型積體電路高電阻值複晶電阻器的製造技術及其新模型

Abstract

本文研究磷原子和硼原子同時存在，複晶矽電阻器電阻值在不同之退火溫度與時間之 處理條件下之變化特性。硼離子佈植劑量之變化範圍為2×1014/平方公分至1×1015/ 平方公分，而磷離子佈植劑量則固定為5×1014/平方公分。 基於磷原子有凝集於粒界之傾向，而硼原子則不會，我們提出一個新的n-p-p-n 多接 面結構模式解釋實驗的結果，且得到很好的定性解釋。利用本文所發展的技術，我們 可以得到相當高的電阻值，其大小可以利用不同的退火溫度與時間和濃度來加以控制 。