標題: 超大型積體電路高電阻值複晶電阻器的製造技術及其新模型
作者: 謝明得
XIE, MING-DE
吳慶源
WU, GING-YUAN
電子研究所
關鍵字: 超大型積體電路;積體電路;電阻;電阻器;複晶矽;磷原子;硼原子;原子
公開日期: 1985
摘要: 本文研究磷原子和硼原子同時存在,複晶矽電阻器電阻值在不同之退火溫度與時間之 處理條件下之變化特性。硼離子佈植劑量之變化範圍為2×1014/平方公分至1×1015/ 平方公分,而磷離子佈植劑量則固定為5×1014/平方公分。 基於磷原子有凝集於粒界之傾向,而硼原子則不會,我們提出一個新的n-p-p-n 多接 面結構模式解釋實驗的結果,且得到很好的定性解釋。利用本文所發展的技術,我們 可以得到相當高的電阻值,其大小可以利用不同的退火溫度與時間和濃度來加以控制 。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742430031
http://hdl.handle.net/11536/52434
顯示於類別:畢業論文