高阻值複晶矽電阻與複晶矽薄膜電晶體之技術

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	郭俊彥	en_US
dc.contributor.author	GUO, JUN-YAN	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.contributor.author	WU, GING-YUAN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:04:26Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:04:26Z	-
dc.date.issued	1986	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430039	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52940	-
dc.description.abstract	以低壓化學氣相沈積方式堆疊而成的複晶矽薄膜，經離子佈植硼離子及磷離子後，經過不同的熱處理以形成高電阻值之電阻。本文的第一部份即研究不同的磷離子濃度與不同的退火溫度及退火時間對電阻值之影響。我們亦在複晶矽薄膜上製造金氧半場效電晶體。關於通道部份佈植之離子濃度對電晶體特性之影響以及不同的通道長度與通道寬度對電晶體之電子移動率，漏電等特性之影響，我們載於本論文的第二部份。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	高阻值	zh_TW
dc.subject	複晶矽電阻	zh_TW
dc.subject	複晶矽薄膜	zh_TW
dc.subject	低壓化學氣	zh_TW
dc.subject	硼離子	zh_TW
dc.subject	磷離子	zh_TW
dc.subject	退火溫度	zh_TW
dc.subject	金氧半場效電晶體	zh_TW
dc.title	高阻值複晶矽電阻與複晶矽薄膜電晶體之技術	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文