凹渠式垂直金氧半導體電晶體技術研究

Abstract

本論文以凹渠式新製程研發垂直金氧半導體電晶體，並和傳統型垂直金氧半導體電晶 體做一詳盡的比較。 本文在凹渠式的新結構上，發現元件起動電阻和面積的乘積可降低為傳統的四分之一 ，如此在設計上，可降低元件面積而使晶圓上的良數大為提昇。另外，本文引進新的 凹渠式保護環，在花費很少的面積上，只要增加三個保護環（環與環間二十微米）即 可使崩潰電壓達至二百伏特以上，此凹渠式保護環亦可應用於其它功率電晶體或功率 積體電路設計上。本文並經由研所博士班彭瑞焜同學幫助完成電腦模擬分析，並發現 模擬與實驗的電流──電壓曲線相當吻合。因此，我們可利用此一數值模擬器模擬凹 渠式垂直金氧半導體最佳化設計及製程，並提供工業界引進此技術，以使功率電晶體 技術與前景向前邁進一大步。