蝕刻製程的建模、控制、與模擬

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	郭士豪	en_US
dc.contributor.author	Shi-Hao Kuo	en_US
dc.contributor.author	林清安	en_US
dc.contributor.author	Ching-An Lin	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:31:44Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:31:44Z	-
dc.date.issued	2002	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT910591098	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/71072	-
dc.description.abstract	本篇論文對於半導體的蝕刻製程，提出了另一種的R2R控制方法。而此控制方法是包括了遞迴最小方差控制理論以及隨數據資料的變化更新系統，在論文內並詳細的說明了以最小方差建立模型，以遞迴最小方差控制器之模擬實驗的結果，並且與指數性加權移動平均的控制方法相比較。根據模擬的結果所顯示，此控制方法比原始的數據資料有相當大的改善，也比指數性加權移動平均之效果理想，並且可以解決關於量測延遲、預防維修及混合產品等方面的問題。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	蝕刻	zh_TW
dc.subject	遞迴最小方差	zh_TW
dc.subject	指數性加權移動平均	zh_TW
dc.title	蝕刻製程的建模、控制、與模擬	zh_TW
dc.title	Modelling, Control, and Simulation of Etching Process	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電控工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文