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dc.contributor.author卓龍材en_US
dc.contributor.authorLong-Cai Jhuoen_US
dc.contributor.author金星吾en_US
dc.contributor.authorSung-O Kimen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:57:03Z-
dc.date.available2014-12-12T02:57:03Z-
dc.date.issued2005en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009324513en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/79174-
dc.description.abstract微電漿元件的研究近來提供了許多相當引人注目的特性與可能的應用。因為半導體製程技術的進步,提供微電漿元件製程的可靠度。有別於鑽孔式的方法,利用半導體製程可使元件的尺寸縮小與元件的一致性。並且可提高微電漿元件發光的穩定性與均勻性。 本篇論文闡述交錯式微電漿元件運用厚膜光阻在氬氣/氖氣混合操作下的特性研究成果。因為利用光蝕刻式玻璃當作阻隔壁,有(1)與電極對準精確性和(2)與基板有間隙的問題。所以本論文運用厚膜光阻代替光蝕刻式玻璃,因為厚膜光阻是利用旋轉塗佈的方式,所以可以解決間隙的問題。使用光罩對準曝光機可使圖形與電極對位精確。本元件放置於一真空系統提供電性產生電漿,並且量測電性與光學影像。本研究之微電漿元件可得到:穩定電壓電流特性、低操作電壓、穩定輝光放電現象。而增加氬氣濃度的參雜可有效的降低操作電壓。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject微電漿zh_TW
dc.subject厚膜光阻zh_TW
dc.subject阻隔壁zh_TW
dc.subjectmicro-plasmaen_US
dc.subjectSU-8en_US
dc.subjectbarrier riben_US
dc.title氖氣/氬氣混合之運用厚膜光阻形成阻隔壁之微電漿元件特性之研究zh_TW
dc.titleCharacterization of Micro-plasma Devices Using Thick Photoresist as a Barrier Rib in Neon-Argon Gas Mixturesen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文


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