完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 卓龍材 | en_US |
dc.contributor.author | Long-Cai Jhuo | en_US |
dc.contributor.author | 金星吾 | en_US |
dc.contributor.author | Sung-O Kim | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:57:03Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:57:03Z | - |
dc.date.issued | 2005 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009324513 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/79174 | - |
dc.description.abstract | 微電漿元件的研究近來提供了許多相當引人注目的特性與可能的應用。因為半導體製程技術的進步,提供微電漿元件製程的可靠度。有別於鑽孔式的方法,利用半導體製程可使元件的尺寸縮小與元件的一致性。並且可提高微電漿元件發光的穩定性與均勻性。 本篇論文闡述交錯式微電漿元件運用厚膜光阻在氬氣/氖氣混合操作下的特性研究成果。因為利用光蝕刻式玻璃當作阻隔壁,有(1)與電極對準精確性和(2)與基板有間隙的問題。所以本論文運用厚膜光阻代替光蝕刻式玻璃,因為厚膜光阻是利用旋轉塗佈的方式,所以可以解決間隙的問題。使用光罩對準曝光機可使圖形與電極對位精確。本元件放置於一真空系統提供電性產生電漿,並且量測電性與光學影像。本研究之微電漿元件可得到:穩定電壓電流特性、低操作電壓、穩定輝光放電現象。而增加氬氣濃度的參雜可有效的降低操作電壓。 | zh_TW |
dc.language.iso | en_US | en_US |
dc.subject | 微電漿 | zh_TW |
dc.subject | 厚膜光阻 | zh_TW |
dc.subject | 阻隔壁 | zh_TW |
dc.subject | micro-plasma | en_US |
dc.subject | SU-8 | en_US |
dc.subject | barrier rib | en_US |
dc.title | 氖氣/氬氣混合之運用厚膜光阻形成阻隔壁之微電漿元件特性之研究 | zh_TW |
dc.title | Characterization of Micro-plasma Devices Using Thick Photoresist as a Barrier Rib in Neon-Argon Gas Mixtures | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |