高效能動態起始電壓絕緣層上矽元件

標題:	高效能動態起始電壓絕緣層上矽元件 High Performance DTMOS SOI Devices
作者:	趙天生 TIEN-SHENGCHAO 國立交通大學電子物理學系
公開日期:	2003
官方說明文件#:	NSC92-2215-E009-070
URI:	http://hdl.handle.net/11536/92168 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=873573&docId=167366
顯示於類別：	研究計畫

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。