蕭特基能障SOI金氧半電晶體元件研製與分析(II)

標題:	蕭特基能障SOI金氧半電晶體元件研製與分析(II) Fabrication and Characterization of SOI Schottky Barrier MOSFET (II)
作者:	黃調元 TIAO-YUANHUANG 交通大學電子工程系
公開日期:	2002
官方說明文件#:	NSC91-2215-E009-042
URI:	http://hdl.handle.net/11536/93069 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784397&docId=150768
顯示於類別：	研究計畫

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。