金屬閘極金氧半場效電晶體關鍵技術(I)

標題:	金屬閘極金氧半場效電晶體關鍵技術(I) Key Technologies of Metal Gate MOSFET (I)
作者:	崔秉鉞 Bing-YueTsui 國立交通大學電子工程學系
關鍵字:	金屬閘極;金氧半導體場效電晶體;關鍵技術;Metal gate;MOSFET;Key technology
公開日期:	2001
官方說明文件#:	NSC90-2215-E009-064
URI:	http://hdl.handle.net/11536/93429 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665689&docId=126370
顯示於類別：	研究計畫