具應變之0.808UM高功效半導體雷射

標題:	具應變之0.808UM高功效半導體雷射 0.808.mu.m High Power Strained Quantum Well Diode Laser
作者:	黃凱風 HUANG KAI-FENG 交通大學電子物理系
關鍵字:	半導體雷射;量子井;分子束磊晶生長;雷射二極體;Semiconductor laser;Quantum well;MBE growth;Laser diode
公開日期:	1998
官方說明文件#:	NSC87-2215-E009-018
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95066 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=396179&docId=69979
顯示於類別：	研究計畫