以磷擴散法除去矽晶內之雜質

Abstract

本文探討在矽晶片背面擴散一厚磷原子層來除去矽晶片內有害重金屬雜質的方法，并 以三種模型來描述這種現象。這三種模型一致達到如下的結論：(一)擴散的磷原子濃 度愈高愈好。(二)使雜質重新在此雙相系統( 即矽晶片本身及擴散的厚磷原子層) 達 到平衡的溫度愈低愈好, 但需注意溫度過低時, 重金屬移動過慢而使平衡狀態下易達 成。基於以上考慮,吾人提出一套新的磷擴散除去雜質的作業方法,并經由實驗證實有 效。