標題: 矽化鎢薄膜在複晶矽上的特性
作者: 廖宜智
LIAO, YI-ZHI
陳茂傑
CHEN, MAO-JIE
電子研究所
關鍵字: 矽化鎢;複晶矽;蒸鍍系統
公開日期: 1984
摘要: 矽化鎢╱複晶矽薄膜由於它具有低電阻及可被氧化的特性,使得它在超大型積體電路 中,被用作場效電晶體的閘電極及元牛間之導線的機會愈加濃厚,其重要性已不可忽 略,矽化鎢薄膜係以雙電子槍蒸鍍系統備置而成,其中矽與鎢的原子數比介於2.1 和 2.8 之間。蒸鍍形成的矽化鎢╱複晶矽薄膜經過65 ℃到1100 ℃的各種高溫,配合不 同時間間燒結而成之後,再針對其各種特性,諸如:表面狀況、黏附性、片電阻和氧 化等進行研究和分析。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732430003
http://hdl.handle.net/11536/52052
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