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2016互補式金屬氧化半導體影像感測元件製程之高深寬比光阻製作方法葉峻瑋; 陳智; Yeh, Chun-Wei; Chen, Chih; 工學院半導體材料與製程設備學程
2010以Drive-in 製程的修正來改善 0.4μm P型金屬/氧化層/半導體(PMOS)臨界電壓電性的異常林國芳; Lin, Kuo-Fang; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung; 工學院半導體材料與製程設備學程
2015以Silvaco模擬器模擬高功率氮化鋁鎵/氮化鎵蕭特基二極體陽極邊緣效應周冠佑; Chou, Kuan-Yu; 張翼; Chang, Yi; 工學院半導體材料與製程設備學程
2015以光學微影步進機製作高功率之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體危以強; Wei, Yi-Chiang; 張翼; Chang, Edward-Yi; 工學院半導體材料與製程設備學程
2006以動態顯影方式降低缺陷之研究蔡毓通; Yuh-Tong Tsai; 陳家富; Chia-Fu Chen; 工學院半導體材料與製程設備學程
2014以化學浴法在圖案化基板上側向成長非極性氧化鋅塗惠敏; Tu, Hui-Min; 張立; Chang, Li; 工學院半導體材料與製程設備學程
2011以原子層磊晶技術在有機金屬氣相化學沉積機台成長砷化鎵於鍺基板上之研究張榮庭; Chang Jung-Ting; 張翼; Edward Chang Yi; 工學院半導體材料與製程設備學程
2016以射頻磁控濺鍍氣相沉積法製備參氫的氧化銦薄膜王義智; 吳耀銓; Wang,Yi-Chih; Wu, Yew-Chung; 工學院半導體材料與製程設備學程
2006以旋轉式塗佈不含全氟辛烷磺酸基化合物薄膜製程之探討彭徵富; Chen-Fu Peng; 陳家富; Chia-Fu Chen; 工學院半導體材料與製程設備學程
2011以深紫外光微影製作具傾斜型電場板之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體黃祿哲; Huang, Lu-Che; 張翼; Chang, Yi Edward; 工學院半導體材料與製程設備學程
2006以田口方法改善金屬導線之片電阻值的探討曾建儒; Jian-Ru Tseng; 陳家富; Chia-Fu Chen; 工學院半導體材料與製程設備學程
2008以規則性粗化點改善發光二極體光取出效率之研究劉稀源; Liu, Hsi-Yuan; 吳耀銓; Wu, Yew Chung Sermon; 工學院半導體材料與製程設備學程
2013以鎳為金屬墊層之覆晶錫銀銲錫接點於不同溫度下之電遷移失效模式研究李允田; Lee, Yun-Tien; 陳智; Chen, Chih; 工學院半導體材料與製程設備學程
2005低介電阻障層All-in-one蝕刻在銅雙鑲嵌製程的特性研究邱晴暉; Chin-Huei Chiu; 陳家富; Dr. Chia-Fu Chen; 工學院半導體材料與製程設備學程
2017低功耗藍牙傳輸技術應用於無線資料擷取之研究段晉雲; 成維華; 鄭時龍; Tuan, Chin-Yun; Chieng, Wei-Hua; Jeng, Shi-Long; 工學院半導體材料與製程設備學程
2007低壓化學氣相沈積之BTBAS氮化矽薄膜在65奈米電晶體側壁空間層之應用(利用田口式實驗設計方法進行製程參數最佳化)李捷弘; 吳耀銓; 工學院半導體材料與製程設備學程
2008低濃度氫氧化氨、雙氧水混合物在深溝渠式記憶體清洗製程之研究李國智; Lee, Kuo-Chih; 吳耀銓; Wu, sermon; 工學院半導體材料與製程設備學程
2006使用I-line stepper 開發 Low cost 及可大量生產之0.25 um gate pHEMT賴宗志; Tsung-Tzu Lai; 張翼; 張立; Yi Chang; Li Chang; 工學院半導體材料與製程設備學程
2007使用費洛蒙擴散控制器改善關鍵尺寸之變異黎湘鄂; Li, Hsiang-er; 李安謙; A.C.Lee; 工學院半導體材料與製程設備學程
2007使用非線性D-EWMA控制器改善化學氣相沈積製程賴明宏; 李安謙; An-Chen Lee; 工學院半導體材料與製程設備學程
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