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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Lai, YL
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顯示 1 到 18 筆資料,總共 18 筆
公開日期
標題
作者
1-八月-1997
2-V-operation delta-doped power HEMT's for personal handy-phone systems
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
Hsu, HT
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-八月-1997
2-V-operation delta-doped power HEMT's for personal handy-phone systems
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
Hsu, HT
;
交大名義發表
;
電子工程學系及電子研究所
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-五月-1996
5 mm high-power-density dual-delta-doped power HEMT's for 3 V L-band applications
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Chen, TK
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
Chen, TH
;
Lee, CT
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-五月-1996
5 mm high-power-density dual-delta-doped power HEMT's for 3 V L-band applications
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Chen, TK
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
Chen, TH
;
Lee, CT
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-1996
Au/Ge/Pd ohmic contacts to n-GaAs with the Mo/Ti diffusion barrier
Chai, CY
;
Huang, JA
;
Lai, YL
;
Wu, JW
;
Chang, CY
;
Chan, YJ
;
Cheng, HC
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-四月-1996
Excellent Au/Ge/Pd ohmic contacts to n-type GaAs using Mo/Ti as the diffusion barrier
Chai, CY
;
Huang, JA
;
Lai, YL
;
Wu, JW
;
Chang, CY
;
Chan, YJ
;
Cheng, HC
;
電子工程學系及電子研究所
;
奈米中心
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
Nano Facility Center
1-一月-2001
A GaAs/AlAs wet selective etch process for the gate recess of GaAs power metal-semiconductor field-effect transistors
Chang, EY
;
Lai, YL
;
Lee, YS
;
Chen, SH
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-八月-1997
The high pressure synthesis and characterization of some rare-earth based praseodymium-substituted R2Ba4Cu7O14+delta (R = Sm, Gd, Ho) cuprates
Lai, YL
;
Chen, TM
;
Shih, JT
;
Kao, HCI
;
應用化學系
;
Department of Applied Chemistry
1-九月-1997
High-efficiency and low-distortion directly-ion-implanted GaAs power MESFET's for digital personal handy-phone applications
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Tai, MC
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
Chuang, KC
;
Lee, CT
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-四月-1996
High-performance An/Ti/Ge/Pd ohmic contacts on n-Type In0.5Ga0.5P
Chai, CY
;
Wu, JW
;
Guo, JD
;
Huang, JA
;
Lai, YL
;
Chan, SH
;
Chang, CY
;
Chan, YJ
;
Cheng, HC
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1996
High-performance pseudomorphic power HEMTs for low-voltage wireless communication applications
Lai, YL
;
Chan, EY
;
Chang, CY
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
交大名義發表
;
電子工程學系及電子研究所
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-三月-1997
High-power-density and high-efficiency atomic-planar-doped AlGaAs/InGaAs quantum-well power high-electron-mobility transistors for 2.4 V medium-power wireless communication applications
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-八月-1997
The high-pressure synthesis and characterization of some praseodymium-substituted rare-earth based R2Ba4Cu7O14+delta (R = Nd, Sm, Eu, Gd, Ho, Tm)
Chen, TM
;
Lai, YL
;
Kao, FS
;
交大名義發表
;
應用化學系
;
National Chiao Tung University
;
Department of Applied Chemistry
1999
Highly selective etch process for the manufacture of GaAs power MESFET's
Chang, EY
;
Lai, YL
;
Lee, YS
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-三月-1998
A novel fabrication technique of T-shaped gates using an EGMEA and PMIPK multilayer resist system and a single-step electron-beam exposure
Lai, YL
;
Lai, YK
;
Chang, CY
;
Chang, EY
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-七月-2002
Novel I-line phase shift mask technique for submicron T-shaped gate formation
Chen, SH
;
Chang, HC
;
Fu, DK
;
Chang, EY
;
Lai, YL
;
Cahng, L
;
材料科學與工程學系
;
資訊工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Computer Science
1-六月-2006
Robust ultrathin oxynitride with high nitrogen diffusion barrier near its surface formed by NH3 nitridation of chemical oxide and reoxidation with O-2
Lai, CH
;
Lin, BC
;
Chang, KM
;
Hsieh, KY
;
Lai, YL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-1996
A simple fabrication process of T-shaped gates using a deep-UV/electron-beam/deep-UV tri-layer resist system and electron-beam lithography
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Yang, HPD
;
Nakamura, K
;
Shy, SL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics