高阻值複晶矽電阻與複晶矽薄膜電晶體之技術

Abstract

以低壓化學氣相沈積方式堆疊而成的複晶矽薄膜，經離子佈植硼離子及磷離子後，經 過不同的熱處理以形成高電阻值之電阻。本文的第一部份即研究不同的磷離子濃度與 不同的退火溫度及退火時間對電阻值之影響。 我們亦在複晶矽薄膜上製造金氧半場效電晶體。關於通道部份佈植之離子濃度對電晶 體特性之影響以及不同的通道長度與通道寬度對電晶體之電子移動率，漏電等特性之 影響，我們載於本論文的第二部份。