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200212吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫III:利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(III)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
200012吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫IV：利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(I)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
200112吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫Ⅲ：利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(II)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 國立交通大學電子工程學系
200012吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫三：利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(II)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 國立交通大學電子工程學系
19998吋晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計劃IV：利用LPCVD法成長Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜與特性分析(III)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
19978吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫四：利用LPCVD法成長Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜與特性分析(I)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
1999SBT鐵電薄膜製備與特性的分析(II)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
2000SBT鐵電薄膜製備與特性的分析(III)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
2000SBT鐵電薄膜製備與特性的分析(IV)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 國立交通大學電子工程學系
2004一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(I)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
2005一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(II)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
2005奈米複合電磁波吸波材之研製曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
2001新世代鐵電非揮發性記憶元件(I)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 國立交通大學電子工程學系
2002新世代鐵電非揮發性記憶元件(II)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
2003新世代鐵電非揮發性記憶元件(III)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 國立交通大學電子工程學系
2003正型氧化鋅奈米棒和薄膜/積層膜的製備和它們性質的探討曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 國立交通大學電子工程學系
1995氧化鋅基積層式變阻器之製備與電性曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 國立交通大學電子工程研究所
1996積層式氧化鋅變阻器衰化現象之研究曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 國立交通大學電子工程學系
1996薄膜超導元件的研制與特性探討---子計畫三：高溫超導陶瓷薄膜在電子元件的物理與技術(II)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 國立交通大學電子工程學系
1997薄膜超導元件的研製與特性探討-----子計畫II：高溫超導陶瓷薄膜在電子元件的物理與技術(III)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
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