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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Chang, EY
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40
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公開日期
標題
作者
15-十月-2000
A 1.2-V operation power pseudomorphic high electron mobility transistor for personal handy phone handset application
Chang, EY
;
Lee, DH
;
Chen, SH
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-二月-2005
2 V-operated InGaP-AlGaAs-InGaAs enhancement-mode pseudomorphic HEMT
Chu, LH
;
Chang, EY
;
Chen, SH
;
Lien, YC
;
Chang, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-八月-1997
2-V-operation delta-doped power HEMT's for personal handy-phone systems
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
Hsu, HT
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-八月-1997
2-V-operation delta-doped power HEMT's for personal handy-phone systems
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
Hsu, HT
;
交大名義發表
;
電子工程學系及電子研究所
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2001
2.4 V-operated enhancement mode PHEMT with 32 dBm output power and 61 % power efficenciecy
Chen, SH
;
Chang, EY
;
Lin, YC
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
2001
2.4 V-operated enhancement-mode power PHEMTs for personal handy-phone system application
Chen, SH
;
Chang, EY
;
Lin, YC
;
Lee, CS
;
友訊交大聯合研發中心
;
D Link NCTU Joint Res Ctr
1-五月-1996
5 mm high-power-density dual-delta-doped power HEMT's for 3 V L-band applications
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Chen, TK
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
Chen, TH
;
Lee, CT
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-五月-1996
5 mm high-power-density dual-delta-doped power HEMT's for 3 V L-band applications
Lai, YL
;
Chang, EY
;
Chang, CY
;
Chen, TK
;
Liu, TH
;
Wang, SP
;
Chen, TH
;
Lee, CT
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2001
AIGaN Schottky characteristics after hybrid photo-enhanced wet and inductively coupled plasma etch
Huang, WJ
;
Fang, CY
;
Wong, JS
;
Lee, CS
;
Chang, EY
;
Feng, MS
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
2001
AIGaN/GaN HEMT sub-bands study using low-temperature photoluminescence
Fang, CY
;
Lin, CF
;
Lee, CS
;
Chang, EY
;
Feng, MS
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
2000
Backside copper metallization of GaAs MESFET's using Ta and TaN as diffusion barrier
Chang, EY
;
Chen, CY
;
Chang, L
;
Chen, SH
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-六月-2001
Backside copper metallization of GaAs MESFETs using TaN as the diffusion barrier
Chen, CY
;
Chang, EY
;
Chang, L
;
Chen, SH
;
材料科學與工程學系
;
友訊交大聯合研發中心
;
Department of Materials Science and Engineering
;
D Link NCTU Joint Res Ctr
1-七月-2004
Composite-channel metamorphic high electron mobility transistor for low-noise and high-linearity applications
Chang, EY
;
Lin, YC
;
Chen, GJ
;
Lee, HM
;
Huang, GW
;
Biswas, D
;
Chang, CY
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
友訊交大聯合研發中心
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
D Link NCTU Joint Res Ctr
15-二月-2004
Controlled placement of self-organized Ge dots on patterned Si (001) surfaces
Lee, HM
;
Yang, TH
;
Luo, GL
;
Chang, EY
;
材料科學與工程學系
;
友訊交大聯合研發中心
;
Department of Materials Science and Engineering
;
D Link NCTU Joint Res Ctr
1-七月-2006
Device linearity comparison of uniformly doped and delta-doped In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As metamorphic HEMTs
Lin, YC
;
Chang, EY
;
Yamaguchi, H
;
Hirayama, Y
;
Chang, XY
;
Chang, CY
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
友訊交大聯合研發中心
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
D Link NCTU Joint Res Ctr
2002
An etch back technique to achieve sub-micron T-gate for GaAsFETs using I-line stepper and phase shift mask (PSM)
Fu, DK
;
Chen, SH
;
Chang, HC
;
Chang, EY
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-七月-2003
Etching damages on AlGaN, GaN and InGaN caused by hybrid inductively coupled plasma etch and photoenhanced chemical wet etch by Schottky contact characterizations
Fang, CY
;
Huang, WJ
;
Chang, EY
;
Lin, CF
;
Feng, MS
;
材料科學與工程學系
;
光電工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Photonics
15-六月-2003
Flower-like distributed self-organized Ge dots on patterned Si (001) substrates
Lee, HM
;
Yang, TH
;
Luo, GL
;
Chang, EY
;
材料科學與工程學系
;
友訊交大聯合研發中心
;
Department of Materials Science and Engineering
;
D Link NCTU Joint Res Ctr
1-一月-2001
A GaAs/AlAs wet selective etch process for the gate recess of GaAs power metal-semiconductor field-effect transistors
Chang, EY
;
Lai, YL
;
Lee, YS
;
Chen, SH
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-一月-2005
A GeSi-buffer structure for growth of high-quality GaAs epitaxial layers on a Si substrate
Chang, EY
;
Yang, TH
;
Luo, GL
;
Chang, CY
;
材料科學與工程學系
;
友訊交大聯合研發中心
;
Department of Materials Science and Engineering
;
D Link NCTU Joint Res Ctr